L'actualité mémoire est assez creuse en ce moment. Seul informations à se mettre sous la dent, l'annonce d'Infineon qui vient de produire quelques prototype de mémoire DDR3. Actuellement, les chips sont gravés avec un process de 90 nm, mais passeront à 70 nm lors du lancement de la production, fin 2006. Bref, rien de neuf puisque Samsung avait déjà annoncé des prototypes de DDR3 du même type en février. Afin que cette news ne servent pas complètement à rien, rappelons brièvement en quoi consiste la DDR3. Pour parler simplement, la DDR3 est à la DDR2, ce que la DDR2 est à la DDR1. C'est à dire quasiment la même technologie, mais utilisant une plus faible tension d'alimentation (1.5V pour la DDR3) et surtout, un prefetch doublé par rapport à la génération précédente.

Ainsi, de la DDR-200 pouvait transmettre 64(bits) * 2 (prefetch) * 100 (MHz) = 1600 Mo/s, la DDR2-400 peut transmettre 64(bits) * 4 (prefetch) * 100 (MHz) = 3200 Mo/s et la DDR3-800 pourra transmettre 64(bits) * 8 (prefetch) * 100 (MHz) = 6400 Mo/s, tout cela avec la même fréquence de base de 100 MHz. Les premier sample de DDR3 devraient être disponibles en version DDR3-1066, soit 133 MHz réel. Ceci dit, à l'heure ou la DDR3 sera disponible, Netburst aura passé l'arme à gauche et les besoins en bande passante seront probablement moins elevés, à moins que le futur CSI d'Intel n'en dire partis plus que prévu ;)