Les Secrets du Wafer | ||||
Raphaël S. - //2003-01-08 | ||||
 INTRODUCTION  A chaque annonce d'un nouveau processeur, nous avons
toujours droit à la photo de cette fascinante galette appelée
wafer. Dans le royaume des semi-conducteurs, le silicium est
roi ! Découvert scientifiquement en 1823, le silicium (Si dans
le tableau périodique) est fabriqué à partir
de sable quartzeux (dioxyde de silicium) qu'il faut bien évidement
purifier pour obtenir le silicium extrêmement pure requis pour
les semi-conducteurs. Toutefois, le silicium sert aussi de base Ã
l'élaboration de matériaux de la vie de tout les jours
comme le verre, le cristal, ou encore la porcelaine. En chauffant
ce sable dans un four à une température proche des 1700°C
on obtient du silicium ayant un taux de pureté de l'ordre de
96% à 99%. Malgré tout, les technologies actuelles requièrent
un silicium si pur qu'il ne doit pas contenir plus d'un atome étranger
pour 10^12 atomes de silicium ! Pour parvenir à cette pureté
quasi parfaite, le silicium est dissous dans de l'acide chlorydrique
et purifié par distillations successives, on obtient alors
du trichlorosilane (aussi appelé Silicochloroforme). Ce trichlorosilane
dont le point de fusion se situe autour des 33°C seulement est
réduit à l'aide d'hydrogène jusqu'a atteindre
l'état de silicium liquide qui sera utilisé pour créer
des barres de silicium. Ainsi, nous verrons au cours des 16 phases présentes dans cet article, la fabrication intégrale d'un wafer :
X86-secret ayant pour vocation de vous dévoiler, en détails de préférence, TOUS les secrets des constructeurs, nous allons aujourd’hui vous dévoiler les secrets du wafer ! Suivez le guide...
 PHASE 1 LA CREATION DU WAFER  Le processus initial nécessite une graine cristal de silicium. C'est en fait la forme la plus minuscule d'une structure cristalline qui a toutes les facettes d'un cristal complet. Elle est le plus souvent créée artificiellement par pelletisation (technique d'agglomération à haute température) et mesure entre 1mm et 3mm.
 Cette graine est plongée dans un bain de silicium liquide grâce à une tige et après que l'équilibre thermique soit atteint la cristallisation commence. On tire lentement la graine vers le haut, on obtient alors une barre de silicium. Dans le même temps, la tige et le contenant du bain sont tournés en sens opposé. La croissance cristalline étant uniforme dans tous les sens, la tige est parfaitement circulaire. La structure de cette "barre" est monocristalline (c'est à dire qu'il s'agit d'un gros morceau de silicium qui n'est qu'un seul et unique cristal et non pas tout un tas de petits cristaux agglomérés). Â
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   PHASE 2 LA CREATION DES MASQUES  Le processus de fabrication d'un semi-conducteur est basé sur l'utilisation d'un procédé photographique complexe pour réaliser le masque de chaque couche. Selon la complexité du circuit intégré, il peut y avoir jusqu'à 24 couches ! Le masque de chaque couche est identique à un négatif photographique, il est obtenu en "taillant" au laser une couche de chrome déposé préalablement sur une plaque de quartz d'une extrême pureté. Chaque couche correspond à un schéma électronique qu'une machine interprète, convertit et reproduit en découpe laser sur la plaque de quartz chromée. Le résultat de cette opération est appelé : réticule
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